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產(chǎn)品分類產(chǎn)品中心/ products
SEL 晶圓裂紋檢測儀 SEL-WCIS，昭和電氣研究所的晶圓檢測設備專題頁，主要用途是展示其利用光學與傳感器技術融合的四大核心檢測產(chǎn)品。適用行業(yè)為半導體制造，專門用于硅（Si）、碳化硅（SiC）等晶圓在生產(chǎn)過程中的裂紋、邊緣缺陷、表面劃痕及形狀精度的自動化檢測與質(zhì)量控制
更新時間：2026-07-10
Santec 晶圓幾何參數(shù)測量系統(tǒng) 厚度測量儀 TMS-2000 TMS-2000以非接觸方式測量晶圓的的厚度分布，可以測量精度為1nm的平整度。 當在涉及極的端的溫度變化和振動的不穩(wěn)定環(huán)境中使用時，傳統(tǒng)的晶圓厚度映射技術難以解決精度問題，而TMS-2000具有高的環(huán)境穩(wěn)定性。由于其高速測量能力和緊湊的尺寸，TMS-2000可用于涉及在線檢測的各種工業(yè)領域。
更新時間：2026-07-09
日本advanced 厚度/膜厚/光學常數(shù)測量裝置 ETA-TCM 這是一種測量納米級薄膜厚度的裝置。其特點是快速、非接觸、能夠高精度地進行大面積測量。
更新時間：2024-08-13
日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測量儀 Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測量儀，專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測。它能精準測量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù)，適用于半導體制造、LED（藍寶石基板）及科研領域，確保晶圓加工質(zhì)量。
更新時間：2026-07-08
MICRO GRANITE 背磨后薄晶圓厚度測量儀 Real BG300 是日本土井精密推出的晶圓厚度測量設備，采用非接觸式硅穿透位移傳感器，可測量200/300mm硅片厚度、劃片線及全表面分布，分辨率0.2μm。適用于半導體晶圓研磨后道工序，支持帶框架/保護膜晶圓檢測，服務于晶圓廠、封裝測試及半導體設備制造商。
更新時間：2026-07-08
Doi Precision Lapping 光掩模平整檢測設備 Torin G8 ，該設備用于高精度測量半導體光掩模基板的厚度與兩面平面度，采用非接觸式激光傳感技術，適用于半導體制造、集成電路光刻、平板顯示及石英基板加工等行業(yè)，確保掩模版在芯片制造過程中的精度與良率。
更新時間：2026-07-08
Alnair Labs Si/硅晶圓厚度測量儀 實時監(jiān)測 SIT-200 / SIT-2008 為非接觸式硅晶圓激光厚度傳感器，可在濕法刻蝕中原位實時測厚，能測量形貌粗糙的晶圓，完成晶圓厚度監(jiān)測、刻蝕進程管控。主要用于芯片代工、MEMS 器件、半導體材料制造行業(yè)，適配晶圓濕法刻蝕、薄片來料質(zhì)檢、晶圓減薄等半導體制程厚度檢測。
更新時間：2026-07-08
日本COMS全自動雙面掃描非接觸晶圓測厚儀 WAP-100XY/WAP-200XY/300XY ，這是一款高精度、非接觸式全自動晶圓厚度測量系統(tǒng)。它利用激光位移傳感器進行雙面掃描，通過專用軟件實現(xiàn)自動化測量與數(shù)據(jù)收集。主要適用于半導體、電子元器件等精密制造行業(yè)，有效避免對昂貴晶圓造成損傷。
更新時間：2026-07-09
日本otsukael光譜干涉式晶圓測厚儀SF-3 通過光學方法可以進行非接觸式和非破壞性的厚度測量。 實現(xiàn)高測量再現(xiàn)性 可實時高速監(jiān)控拋光 實現(xiàn)了長 WD（工作距離）并且易于集成到設備中 從主機設備使用 LAN 通過 TCP/IP 通信進行控制 可以進行多層厚度測量 可測量臨時晶圓（臨時鍵合晶圓）各層厚度
更新時間：2024-07-12
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