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MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測(cè)量?jī)x

  • 產(chǎn)品型號(hào):Wafercom 300
  • 更新時(shí)間:2026-07-08

簡(jiǎn)要描述:日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測(cè)量?jī)x Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測(cè)量?jī)x,專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測(cè)。它能精準(zhǔn)測(cè)量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù),適用于半導(dǎo)體制造、LED(藍(lán)寶石基板)及科研領(lǐng)域,確保晶圓加工質(zhì)量。

產(chǎn)品詳情
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,能源,電子/電池,綜合

Wafercom 300是土井精密ラップ株式會(huì)社推出的一款專用于300mm裸晶圓的多功能高精度測(cè)量設(shè)備。該設(shè)備基于其專的利的MICRO GRANITE®技術(shù),旨在為半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵幾何參數(shù)提供精準(zhǔn)的非接觸式檢測(cè)。

MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測(cè)量?jī)x


核心技術(shù)與測(cè)量能力

設(shè)備的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓的越的穩(wěn)定性和精度。為最大限度減少測(cè)量過(guò)程中的振動(dòng)干擾,Wafercom 300在Y軸(前后軸)和θ軸(旋轉(zhuǎn)軸)上采用了來(lái)自印度的黑色花崗巖基座與高精度空氣軸承結(jié)構(gòu)。結(jié)合硅透過(guò)式變位傳感器,設(shè)備能夠非接觸地精確檢測(cè)硅晶圓的厚度。

通過(guò)將采集的數(shù)據(jù)傳輸至PC進(jìn)行分析,Wafercom 300可全面評(píng)估晶圓的多種形狀參數(shù),包括全局平坦度(Global flatness)、局部平坦·度(Site flatness)、翹曲(Warp)、彎曲(Sori)以及邊緣翹曲(Edge roll-off),為晶圓質(zhì)量控制提供詳盡的數(shù)據(jù)支持。


關(guān)鍵規(guī)格與注意事項(xiàng)

  • 晶圓尺寸:300mm

  • 測(cè)量分辨率:0.2μm

  • 重復(fù)精度:0.2μm

  • 設(shè)備尺寸:600(W)×800(D)×1400(H) mm

  • 重量:約300kg

在使用時(shí)需注意,進(jìn)行厚度測(cè)量要求晶圓表面為鏡面,且表面粗糙度需達(dá)到約#2000 mesh以上。若需測(cè)量藍(lán)寶石晶圓(Sapphire Wafer),則必須更換為專用的光學(xué)探頭。


日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測(cè)量?jī)x Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測(cè)量?jī)x,專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測(cè)。它能精準(zhǔn)測(cè)量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù),適用于半導(dǎo)體制造、LED(藍(lán)寶石基板)及科研領(lǐng)域,確保晶圓加工質(zhì)量。

日本 Doi Precision Lapping 土井精密 MICRO GRANIT 晶圓/寶石 翹曲 平坦度測(cè)量?jī)x Wafercom 300 是日本土井精密推出的高精度晶圓平坦度測(cè)量?jī)x,專用于300mm裸晶圓的非接觸式檢測(cè)。它能精準(zhǔn)測(cè)量厚度、翹曲及彎曲等參數(shù),適用于半導(dǎo)體制造、LED(藍(lán)寶石基板)及科研領(lǐng)域,確保晶圓加工質(zhì)量。

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