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更新時間:2026-06-29
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設備本體金屬析出污染
普通清洗設備蒸汽發生器、噴嘴多采用常規不銹鋼材質,高溫純水、蒸汽長期沖刷下,金屬離子會持續溶出,隨流體附著晶圓表面,形成難以去除的金屬微粒。
化學藥劑附帶金屬雜質
傳統濕法清洗依靠強酸、強堿、氧化劑剝離殘渣,化學試劑本身含有微量金屬離子,藥劑循環使用過程中雜質不斷累積,持續污染晶圓。
耗材損耗帶來二次異物
毛刷、噴淋濾芯、超聲振板等消耗品長期磨損,會產生金屬碎屑,同時定期更換耗材抬高產線運維成本。
復雜殘渣清洗不徹的底的
蝕刻后溝槽內的硬質殘渣、表面亞微米顆粒難以單一水流剝離,殘留雜質后續衍生金屬污染缺陷。
介質混合階段:高純發生器產出潔凈蒸汽,與超純水在線充分混合,形成氣液二流體,大幅提升流體沖擊動能;
超音速噴射階段:專用超音速噴嘴將混合流體高速噴射至晶圓表面;
微空化剝離階段:流體撞擊工件瞬間產生大量微型空泡,空泡極速破裂釋放沖擊波,溫和剝離晶圓蝕刻殘渣、表面亞微米顆粒、異質雜質;
純物理清洗方式不會腐蝕晶圓薄膜、氧化層,同時全程介質潔凈,清洗后無金屬殘留附著。
蝕刻溝槽殘渣清洗
清洗前:晶圓刻蝕溝槽內殘留厚重工藝殘渣,殘渣縫隙易裹挾金屬微粒;
清洗后:溝槽潔凈無殘渣,表面無新增金屬雜質,微觀形貌完整無損傷。
晶圓表面微顆粒、異質雜質清洗
清洗前:晶圓分布大量肉眼不可見亞微米異物,極易引發金屬污染缺陷;
清洗后:表面異物全清除,無金屬離子附著,滿足半導體高潔凈標準。

ASTE:半導體專用清洗設備,適配 8/12 寸晶圓批量清洗;
BEUGA:LED 芯片清洗設備,用于金膜剝離、電極潔凈制程;
VALIUS:太陽能電池 / 玻璃基板清洗設備,規避基板金屬污染。

蒸汽發生量:2~100kg/h,可根據產線產能自由選型;
適配介質 / 供電:DIW 超純水、N?、CDA;支持 100VAC/200VAC 供電;
蒸汽壓力可調區間:0.05~0.3MPa,針對薄晶圓、厚基板靈活調節沖擊力;
聯動能力:支持與清洗主機通訊對接,無縫接入自動化量產產線。
良率提升:隔絕設備金屬析出、藥劑雜質雙重污染源,減少晶圓金屬缺陷,提升芯片良率;
降本增效:零消耗品設計,削減藥劑、耗材采購與更換人工成本;
綠色生產:僅使用純水,化學品使用量大幅降低,廢液處理壓力小,減輕環境負荷;
高通用性:標準化單元模塊化集成,半導體、LED、光伏多產線均可落地改造;
長期穩定:惰性涂層耐水汽腐蝕,長期量產工況潔凈性能無衰減。